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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > RN1113MFV,L3F
RN1113MFV,L3F
Número de pieza:
RN1113MFV,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
82027 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
RN1113MFV,L3F.pdf
Investigación

Introducción

RN1113MFV,L3F mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de RN1113MFV,L3F, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para RN1113MFV,L3F por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:VESM
Serie:-
Resistor - Base (R1):47 kOhms
Potencia - Max:150mW
Paquete / Cubierta:SOT-723
Otros nombres:RN1113MFVL3F
Tipo de montaje:Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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