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IRL60S216
- 제품 모델:
- IRL60S216
- 기술:
- MOSFET N-CH 60V 195A
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 무연 / RoHS 준수
- 수량:
- 79378 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- IRL60S216.pdf
소개
우리의 이메일 : [email protected]
규격
| 조건 | New and Original |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 살수 장치 | Boser Technology |
| 전압 - 테스트: | 15330pF @ 25V |
| 전압 - 파괴: | D2PAK |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 1.95 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (최대): | 4.5V, 10V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 195A (Tc) |
| 편광: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 다른 이름들: | IRL60S216TR SP001573906 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 14 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | IRL60S216 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 255nC @ 4.5V |
| IGBT 유형: | ±20V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 2.4V @ 250µA |
| FET 특징: | N-Channel |
| 확장 설명: | N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
| 기술: | MOSFET N-CH 60V 195A |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 60V |
| 용량 비율: | 375W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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