| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 15330pF @ 25V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | D2PAK |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1.95 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (สูงสุด): | 4.5V, 10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 195A (Tc) |
| โพลาไรซ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ชื่ออื่น: | IRL60S216TR SP001573906 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IRL60S216 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 255nC @ 4.5V |
| ประเภท IGBT: | ±20V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 2.4V @ 250µA |
| คุณสมบัติ FET: | N-Channel |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | - |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 60V 195A |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 60V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ: | 375W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
