| Kunto | New and Original |
|---|---|
| alkuperä | Contact us |
| Jakelija | Boser Technology |
| Jännite - Testi: | 15330pF @ 25V |
| Jännite - Breakdown: | D2PAK |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.95 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Sarja: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| RoHS-tila: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 195A (Tc) |
| Polarisaatio: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | IRL60S216TR SP001573906 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 14 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | IRL60S216 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 255nC @ 4.5V |
| IGBT Tyyppi: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.4V @ 250µA |
| FET Ominaisuus: | N-Channel |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Valua lähde jännite (Vdss): | - |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 195A |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 60V |
| kapasitanssi Ratio: | 375W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
