| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| Điện áp - Kiểm tra: | 15330pF @ 25V |
| Voltage - Breakdown: | D2PAK |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.95 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (Tối đa): | 4.5V, 10V |
| Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Loạt: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| Tình trạng RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 195A (Tc) |
| sự phân cực: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vài cái tên khác: | IRL60S216TR SP001573906 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 14 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | IRL60S216 |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 255nC @ 4.5V |
| Loại IGBT: | ±20V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.4V @ 250µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Mô tả mở rộng: | N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | - |
| Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 60V 195A |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 60V |
| Tỷ lệ điện dung: | 375W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
