| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - Prova: | 15330pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | D2PAK |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.95 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 195A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IRL60S216TR SP001573906 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRL60S216 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 255nC @ 4.5V |
| Tipo IGBT: | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.4V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 195A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 60V |
| rapporto di capacità: | 375W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
