HGTP12N60A4
型號:
HGTP12N60A4
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
IGBT 600V 54A 167W TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
65115 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
1.HGTP12N60A4.pdf2.HGTP12N60A4.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.7V @ 15V, 12A
測試條件:390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td(開/關)@ 25°C:17ns/96ns
開關能量:55µJ (on), 50µJ (off)
供應商設備封裝:TO-220AB
系列:-
功率 - 最大:167W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-220-3
其他名稱:HGTP12N60A4_NL
HGTP12N60A4_NL-ND
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入類型:Standard
IGBT類型:-
柵極電荷:78nC
詳細說明:IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB
電流 - 集電極脈衝(ICM):96A
電流 - 集電極(Ic)(最大):54A
基礎部件號:HGTP12N60
Email:[email protected]

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