HGTP12N60A4
Modello di prodotti:
HGTP12N60A4
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT 600V 54A 167W TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
65115 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.HGTP12N60A4.pdf2.HGTP12N60A4.pdf

introduzione

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Specifiche

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Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.7V @ 15V, 12A
Condizione di test:390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:17ns/96ns
di scambio energetico:55µJ (on), 50µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Potenza - Max:167W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:HGTP12N60A4_NL
HGTP12N60A4_NL-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
carica gate:78nC
Descrizione dettagliata:IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB
Corrente - collettore Pulsed (Icm):96A
Corrente - collettore (Ic) (max):54A
Numero di parte base:HGTP12N60
Email:[email protected]

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