HGTP12N60A4
部品型番:
HGTP12N60A4
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
IGBT 600V 54A 167W TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
65115 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
1.HGTP12N60A4.pdf2.HGTP12N60A4.pdf

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規格

状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):600V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大):2.7V @ 15V, 12A
試験条件:390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃:17ns/96ns
エネルギーの切り替え:55µJ (on), 50µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220AB
シリーズ:-
電力 - 最大:167W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
他の名前:HGTP12N60A4_NL
HGTP12N60A4_NL-ND
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ:Standard
IGBTタイプ:-
ゲートチャージ:78nC
詳細な説明:IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB
電流 - コレクタパルス(ICM):96A
電流 - コレクタ(Ic)(Max):54A
ベース部品番号:HGTP12N60
Email:[email protected]

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