HGTP10N120BN
部品型番:
HGTP10N120BN
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
67515 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
1.HGTP10N120BN.pdf2.HGTP10N120BN.pdf

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規格

状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):1200V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大):2.7V @ 15V, 10A
試験条件:960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃:23ns/165ns
エネルギーの切り替え:320µJ (on), 800µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220AB
シリーズ:-
電力 - 最大:298W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
他の名前:HGTP10N120BN-ND
HGTP10N120BNFS
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ:Standard
IGBTタイプ:NPT
ゲートチャージ:100nC
詳細な説明:IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB
電流 - コレクタパルス(ICM):80A
電流 - コレクタ(Ic)(Max):35A
Email:[email protected]

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