HGTP12N60A4
Modelo do Produto:
HGTP12N60A4
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 600V 54A 167W TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
65115 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.HGTP12N60A4.pdf2.HGTP12N60A4.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.7V @ 15V, 12A
Condição de teste:390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:17ns/96ns
Alternando Energia:55µJ (on), 50µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
Power - Max:167W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:HGTP12N60A4_NL
HGTP12N60A4_NL-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:78nC
Descrição detalhada:IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB
Atual - Collector Pulsada (ICM):96A
Atual - Collector (Ic) (Max):54A
Número da peça base:HGTP12N60
Email:[email protected]

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