HGTP12N60A4
Artikelnummer:
HGTP12N60A4
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 600V 54A 167W TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
65115 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.HGTP12N60A4.pdf2.HGTP12N60A4.pdf

Einführung

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Spezifikation

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Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 12A
Testbedingung:390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:17ns/96ns
Schaltenergie:55µJ (on), 50µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:-
Leistung - max:167W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:HGTP12N60A4_NL
HGTP12N60A4_NL-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:-
Gate-Ladung:78nC
detaillierte Beschreibung:IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-220AB
Strom - Collector Pulsed (Icm):96A
Strom - Kollektor (Ic) (max):54A
Basisteilenummer:HGTP12N60
Email:[email protected]

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