EPC2108ENGRT - EPC 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

EPC2108ENGRT

簡單介紹

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狀況	New and Original
來源	Contact us
分銷商	Boser Technology
VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
供應商設備封裝:	9-BGA (1.35x1.35)
系列:	eGaN®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
功率 - 最大:	-
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	9-VFBGA
其他名稱:	917-EPC2108ENGRDKR
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度等級（MSL）:	1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:	Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
FET型:	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET特點:	GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）:	60V, 100V
詳細說明:	Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
電流 - 25°C連續排水（Id）:	1.7A, 500mA
Email:	[email protected]

型號	製造商	描述	查看
EPC2815	EPC	TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE	在線詢價
EPC2106ENGRT	EPC	TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE	在線詢價
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EPC2110	EPC	MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE	在線詢價
EPC2112ENGRT	EPC	200 V GAN IC FET DRIVER	在線詢價
EPC2202	EPC	GANFET N-CH 80V 18A DIE	在線詢價
EPC2801	EPC	TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE	在線詢價
EPC2105ENGRT	EPC	MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE	在線詢價
EPC2111	EPC	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	在線詢價
EPC2203	EPC	GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR	在線詢價
EPC2104ENGRT	EPC	MOSFET 2NCH 100V 23A DIE	在線詢價
EPC2104ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2105	EPC	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	在線詢價
EPC2107	EPC	MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA	在線詢價
EPC2106	EPC	TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2107ENGRT	EPC	TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2110ENGRT	EPC	TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2105ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2115ENGRT	EPC	150 V GAN IC DUAL FET DRIVER	在線詢價
EPC2108	EPC	MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA	在線詢價