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EPC2108ENGRT
EPC2108ENGRT
部品型番:
EPC2108ENGRT
メーカー:
EPC
説明:
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
84563 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
EPC2108ENGRT.pdf
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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
同上@ VGS（TH）（最大）:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
サプライヤデバイスパッケージ:9-BGA (1.35x1.35)
シリーズ:eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
電力 - 最大:-
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:9-VFBGA
他の名前:917-EPC2108ENGRDKR
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:22pF @ 30V, 7pF @ 30V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
FETタイプ:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET特長:GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:60V, 100V
詳細な説明:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

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