| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 9-BGA (1.35x1.35) |
| ชุด: | eGaN® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 9-VFBGA |
| ชื่ออื่น: | 917-EPC2108ENGRDKR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| ประเภท FET: | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| คุณสมบัติ FET: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 60V, 100V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 1.7A, 500mA |
| Email: | [email protected] |
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2815 | EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2111ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | การสอบสวน |
 |
EPC2110 | EPC | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2112ENGRT | EPC | 200 V GAN IC FET DRIVER | การสอบสวน |
 |
EPC2202 | EPC | GANFET N-CH 80V 18A DIE | การสอบสวน |
|
EPC2801 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | การสอบสวน |
|
EPC2111 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | การสอบสวน |
 |
EPC2203 | EPC | GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR | การสอบสวน |
 |
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | การสอบสวน |
|
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2105 | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | การสอบสวน |
 |
EPC2107 | EPC | MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA | การสอบสวน |
|
EPC2106 | EPC | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | การสอบสวน |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | การสอบสวน |
 |
EPC2115ENGRT | EPC | 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER | การสอบสวน |
|
EPC2108 | EPC | MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA | การสอบสวน |