| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 600µA |
| Vgs (สูงสุด): | +5.75V, -4V |
| เทคโนโลยี: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Die |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q101, eGaN® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 80 mOhm @ 1A, 5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Die |
| ชื่ออื่น: | 917-1200-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 88pF @ 50V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 0.83nC @ 5V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 80V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 80V 1.7A Surface Mount Die |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 1.7A |
| Email: | [email protected] |
