EPC2106ENGRT - EPC 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

EPC2106ENGRT

簡單介紹

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狀況	New and Original
來源	Contact us
分銷商	Boser Technology
VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 600µA
供應商設備封裝:	Die
系列:	eGaN®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	70 mOhm @ 2A, 5V
功率 - 最大:	-
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	Die
其他名稱:	917-EPC2106ENGRDKR
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度等級（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	16 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:	Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	75pF @ 50V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	0.73nC @ 5V
FET型:	2 N-Channel (Half Bridge)
FET特點:	GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）:	100V
詳細說明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
電流 - 25°C連續排水（Id）:	1.7A
Email:	[email protected]

型號	製造商	描述	查看
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EPC2105	EPC	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	在線詢價