EPC2103ENGRT - EPC 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

EPC2103ENGRT

簡單介紹

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狀況	New and Original
來源	Contact us
分銷商	Boser Technology
VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 7mA
供應商設備封裝:	Die
系列:	eGaN®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	5.5 mOhm @ 20A, 5V
功率 - 最大:	-
封装:	Cut Tape (CT)
封裝/箱體:	Die
其他名稱:	917-1146-1 917-1146-1-ND 917-EPC2103ENGRCT
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度等級（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	16 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:	Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	7600pF @ 40V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	6.5nC @ 5V
FET型:	2 N-Channel (Half Bridge)
FET特點:	GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）:	80V
詳細說明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
電流 - 25°C連續排水（Id）:	23A
Email:	[email protected]

型號	製造商	描述	查看
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EPC2107ENGRT	EPC	TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE	在線詢價
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EPC2106ENGRT	EPC	TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE	在線詢價
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EPC2103ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2102	EPC	TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG	在線詢價
EPC2106	EPC	TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2102ENGRT	EPC	MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE	在線詢價
EPC2105	EPC	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	在線詢價
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EPC2105ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2100ENGRT	EPC	MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE	在線詢價
EPC2101ENGRT	EPC	TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID	在線詢價
EPC2101ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2105ENGRT	EPC	MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE	在線詢價
EPC2103	EPC	TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG	在線詢價
EPC2104ENG	EPC	TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE	在線詢價
EPC2104ENGRT	EPC	MOSFET 2NCH 100V 23A DIE	在線詢價