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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
供應商設備封裝: | Die |
系列: | eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
功率 - 最大: | - |
封装: | Tray |
封裝/箱體: | Die |
其他名稱: | 917-EPC2100ENG EPC2100ENGR_H1 EPC2100ENGRH1 |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
FET型: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET特點: | GaNFET (Gallium Nitride) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
詳細說明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 10A (Ta), 40A (Ta) |
Email: | [email protected] |