EPC2103ENGRT
EPC2103ENGRT
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2103ENGRT
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
53686 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
EPC2103ENGRT.pdf

บทนำ

EPC2103ENGRT ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ EPC2103ENGRT เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ EPC2103ENGRT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 7mA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Die
ชุด:eGaN®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 20A, 5V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:-
บรรจุภัณฑ์:Cut Tape (CT)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Die
ชื่ออื่น:917-1146-1
917-1146-1-ND
917-EPC2103ENGRCT
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:7600pF @ 40V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:6.5nC @ 5V
ประเภท FET:2 N-Channel (Half Bridge)
คุณสมบัติ FET:GaNFET (Gallium Nitride)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):80V
คำอธิบายโดยละเอียด:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:23A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest