EPC2103ENGRT
EPC2103ENGRT
Modello di prodotti:
EPC2103ENGRT
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
53686 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EPC2103ENGRT.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 7mA
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:5.5 mOhm @ 20A, 5V
Potenza - Max:-
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1146-1
917-1146-1-ND
917-EPC2103ENGRCT
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7600pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:23A
Email:[email protected]

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