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EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
Modèle de produit:
EPC2106ENGRT
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
54839 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EPC2106ENGRT.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 600µA
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 2A, 5V
Puissance - Max:-
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-EPC2106ENGRDKR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:75pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:0.73nC @ 5V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.7A
Email:[email protected]

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