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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > EPC2104ENGRT
EPC2104ENGRT
EPC2104ENGRT
Modèle de produit:
EPC2104ENGRT
Fabricant:
EPC
La description:
MOSFET 2NCH 100V 23A DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
77286 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
EPC2104ENGRT.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 5.5mA
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.3 mOhm @ 20A, 5V
Puissance - Max:-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-EPC2104ENGRTR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 5V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:23A
Email:[email protected]

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