SSM6K211FE,LF
SSM6K211FE,LF
제품 모델:
SSM6K211FE,LF
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
59159 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
1.SSM6K211FE,LF.pdf2.SSM6K211FE,LF.pdf

소개

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살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):1V @ 1mA
Vgs (최대):±10V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:ES6
연속:U-MOSIII
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):47 mOhm @ 2A, 4.5V
전력 소비 (최대):500mW (Ta)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SOT-563, SOT-666
다른 이름들:SSM6K211FE(TE85L,F
SSM6K211FE(TE85LFTR
SSM6K211FE(TE85LFTR-ND
SSM6K211FE,LF(CA
SSM6K211FELFTR
SSM6K211FETE85LF
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:510pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:10.8nC @ 4.5V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):1.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss):20V
상세 설명:N-Channel 20V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):3.2A (Ta)
Email:[email protected]

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