SSM6L09FUTE85LF
SSM6L09FUTE85LF
제품 모델:
SSM6L09FUTE85LF
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
무연 / RoHS 준수
수량:
68652 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
SSM6L09FUTE85LF.pdf

소개

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규격

조건 New and Original
유래 Contact us
살수 장치 Boser Technology
아이디 @ VGS (일) (최대):1.8V @ 100µA
제조업체 장치 패키지:US6
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):700 mOhm @ 200MA, 10V
전력 - 최대:300mW
포장:Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
다른 이름들:SSM6L09FUTE85LFCT
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:20pF @ 5V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:-
FET 유형:N and P-Channel
FET 특징:Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
상세 설명:Mosfet Array N and P-Channel 30V 400mA, 200mA 300mW Surface Mount US6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):400mA, 200mA
Email:[email protected]

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