SSM6L09FUTE85LF
SSM6L09FUTE85LF
Modello di prodotti:
SSM6L09FUTE85LF
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
68652 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SSM6L09FUTE85LF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.8V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore:US6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:700 mOhm @ 200MA, 10V
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:SSM6L09FUTE85LFCT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:20pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array N and P-Channel 30V 400mA, 200mA 300mW Surface Mount US6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:400mA, 200mA
Email:[email protected]

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