SSM6K211FE,LF
SSM6K211FE,LF
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SSM6K211FE,LF
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
59159 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
1.SSM6K211FE,LF.pdf2.SSM6K211FE,LF.pdf

บทนำ

SSM6K211FE,LF ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ SSM6K211FE,LF เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ SSM6K211FE,LF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±10V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ES6
ชุด:U-MOSIII
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:47 mOhm @ 2A, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):500mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-563, SOT-666
ชื่ออื่น:SSM6K211FE(TE85L,F
SSM6K211FE(TE85LFTR
SSM6K211FE(TE85LFTR-ND
SSM6K211FE,LF(CA
SSM6K211FELFTR
SSM6K211FETE85LF
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:510pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:10.8nC @ 4.5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 20V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:3.2A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest