SSM6K202FE,LF
SSM6K202FE,LF
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SSM6K202FE,LF
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
46267 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
1.SSM6K202FE,LF.pdf2.SSM6K202FE,LF.pdf

บทนำ

SSM6K202FE,LF ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ SSM6K202FE,LF เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ SSM6K202FE,LF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±12V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ES6 (1.6x1.6)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:85 mOhm @ 1.5A, 4V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):500mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Cut Tape (CT)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-563, SOT-666
ชื่ออื่น:SSM6K202FE(TE85LFCT
SSM6K202FE(TE85LFCT-ND
SSM6K202FE,LFCT
SSM6K202FE,LFCT-ND
SSM6K202FELF
SSM6K202FELFCT
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:270pF @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):1.8V, 4V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 30V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:2.3A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest