SSM6K202FE,LF
SSM6K202FE,LF
Número de pieza:
SSM6K202FE,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
46267 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.SSM6K202FE,LF.pdf2.SSM6K202FE,LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ES6 (1.6x1.6)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:85 mOhm @ 1.5A, 4V
La disipación de energía (máximo):500mW (Ta)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:SSM6K202FE(TE85LFCT
SSM6K202FE(TE85LFCT-ND
SSM6K202FE,LFCT
SSM6K202FE,LFCT-ND
SSM6K202FELF
SSM6K202FELFCT
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.3A (Ta)
Email:[email protected]

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