SSM6K781G,LF
Número de pieza:
SSM6K781G,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
66651 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SSM6K781G,LF.pdf

Introducción

SSM6K781G,LF mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de SSM6K781G,LF, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para SSM6K781G,LF por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-WCSPC (1.5x1.0)
Serie:U-MOSVII-H
RDS (Max) @Id, Vgs:18 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.6W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-UFBGA, WLCSP
Otros nombres:SSM6K781G,LF(S
SSM6K781GLFTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5.4nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción detallada:N-Channel 12V 7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-WCSPC (1.5x1.0)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios