| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.5V @ 100µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 6-UDFNB (2x2) |
| ชุด: | U-MOSVIII-H |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 69 mOhm @ 2A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 2.5W (Ta) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-WDFN Exposed Pad |
| ชื่ออื่น: | SSM6K361NU,LF(B SSM6K361NULF SSM6K361NULF(B SSM6K361NULFTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 430pF @ 15V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 3.2nC @ 4.5V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 100V 3.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 3.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
