| Feltétel | New and Original |
|---|---|
| Eredet | Contact us |
| Elosztó | Boser Technology |
| Feszültség - teszt: | 1520pF @ 10V |
| Feszültségelosztás: | DIRECTFET™ SQ |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Sorozat: | HEXFET® |
| RoHS állapot: | Tape & Reel (TR) |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 15A (Ta), 66A (Tc) |
| Polarizáció: | DirectFET™ Isometric SQ |
| Más nevek: | IRF6610 IRF6610-ND SP001526776 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Gyártási szám: | IRF6610TR1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 17nC @ 4.5V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.55V @ 250µA |
| FET funkció: | N-Channel |
| Bővített leírás: | N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | - |
| Leírás: | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Kapacitásarány: | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
