| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - испытания: | 1520pF @ 10V |
| Напряжение - Разбивка: | DIRECTFET™ SQ |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Серии: | HEXFET® |
| Статус RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15A (Ta), 66A (Tc) |
| поляризация: | DirectFET™ Isometric SQ |
| Другие названия: | IRF6610 IRF6610-ND SP001526776 |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Номер детали производителя: | IRF6610TR1 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 17nC @ 4.5V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 2.55V @ 250µA |
| FET Характеристика: | N-Channel |
| Расширенное описание: | N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | - |
| Описание: | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 20V |
| Коэффициент емкости: | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
