| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Изпитване на напрежение: | 1520pF @ 10V |
| Напрежение - Разбивка: | DIRECTFET™ SQ |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| серия: | HEXFET® |
| Състояние на RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 15A (Ta), 66A (Tc) |
| поляризация: | DirectFET™ Isometric SQ |
| Други имена: | IRF6610 IRF6610-ND SP001526776 |
| Работна температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Номер на частта на производителя: | IRF6610TR1 |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 17nC @ 4.5V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 2.55V @ 250µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Разширено описание: | N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | - |
| описание: | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Съотношение на капацитета: | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
