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状況 | New and Original |
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出典 | Contact us |
配給業者 | Boser Technology |
電圧 - テスト: | 1520pF @ 10V |
電圧 - ブレークダウン: | DIRECTFET™ SQ |
同上@ VGS(TH)(最大): | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | HEXFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 15A (Ta), 66A (Tc) |
偏光: | DirectFET™ Isometric SQ |
他の名前: | IRF6610 IRF6610-ND SP001526776 |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
製造元の部品番号: | IRF6610TR1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 17nC @ 4.5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 2.55V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 20V |
静電容量比: | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
Email: | [email protected] |