| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Napięcie - Test: | 1520pF @ 10V |
| Napięcie - Podział: | DIRECTFET™ SQ |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seria: | HEXFET® |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 15A (Ta), 66A (Tc) |
| Polaryzacja: | DirectFET™ Isometric SQ |
| Inne nazwy: | IRF6610 IRF6610-ND SP001526776 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Numer części producenta: | IRF6610TR1 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 17nC @ 4.5V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 2.55V @ 250µA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Stosunek pojemności: | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
