| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.55V @ 250µA |
| Vgs (макс): | ±20V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Пакет на доставчик на устройства: | DIRECTFET™ SQ |
| серия: | HEXFET® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Разсейване на мощност (макс.): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Опаковка: | Cut Tape (CT) |
| Пакет / касета: | DirectFET™ Isometric SQ |
| Други имена: | IRF6610TRPBFCT |
| Работна температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 1520pF @ 10V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Захранващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 20V |
| Подробно описание: | N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 15A (Ta), 66A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
