| Tillstånd | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Distributör | Boser Technology |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.55V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | DIRECTFET™ SQ |
| Serier: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Förpackning: | Cut Tape (CT) |
| Förpackning / Fodral: | DirectFET™ Isometric SQ |
| Andra namn: | IRF6610TRPBFCT |
| Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Ledningsfri status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1520pF @ 10V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 4.5V, 10V |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 20V |
| detaljerad beskrivning: | N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 15A (Ta), 66A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
