SI1403CDL-T1-GE3
Modèle de produit:
SI1403CDL-T1-GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
62610 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SI1403CDL-T1-GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SC-70-6 (SOT-363)
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:140 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):600mW (Ta), 900mW (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:SI1403CDL-T1-GE3TR
SI1403CDLT1GE3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:281pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 2.1A (Tc) 600mW (Ta), 900mW (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.1A (Tc)
Email:[email protected]

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