SI1400DL-T1-GE3
Modèle de produit:
SI1400DL-T1-GE3
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
72442 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SI1400DL-T1-GE3.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SC-70-6 (SOT-363)
Séries:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):568mW (Ta)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms:SI1400DL-T1-GE3DKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:N-Channel 20V 1.6A (Ta) 568mW (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.6A (Ta)
Email:[email protected]

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