SI1400DL-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI1400DL-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
72442 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI1400DL-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-70-6 (SOT-363)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:150 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):568mW (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:SI1400DL-T1-GE3DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:N-Channel 20V 1.6A (Ta) 568mW (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.6A (Ta)
Email:[email protected]

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