SI1402DH-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI1402DH-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
51677 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI1402DH-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.6V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-70-6 (SOT-363)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:77 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):950mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 2.7A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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