SI1402DH-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI1402DH-T1-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
51677 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI1402DH-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.6V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70-6 (SOT-363)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:77 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):950mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 2.7A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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