SI1403BDL-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI1403BDL-T1-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
73276 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI1403BDL-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.3V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70-6
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:150 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):625mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:SI1403BDL-T1-GE3TR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:33 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:P-Channel 20V 1.5A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.5A (Ta)
Email:[email protected]

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