SI1401EDH-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI1401EDH-T1-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
60083 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI1401EDH-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70-6 (SOT-363)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:34 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:SI1401EDH-T1-GE3CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 8V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione dettagliata:P-Channel 12V 4A (Tc) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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