SI1403CDL-T1-GE3
Artikelnummer:
SI1403CDL-T1-GE3
Tillverkare:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Kvantitet:
62610 Pieces
Leveranstid:
1-2 days
Datablad:
SI1403CDL-T1-GE3.pdf

Introduktion

SI1403CDL-T1-GE3 bästa pris och snabb leverans.
BOSER Technology är distributören för SI1403CDL-T1-GE3, vi har bestånden för omgående leverans och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för SI1403CDL-T1-GE3 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Vår email: [email protected]

Specifikationer

Tillstånd New and Original
Ursprung Contact us
Distributör Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:SC-70-6 (SOT-363)
Serier:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:140 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Effektdissipation (Max):600mW (Ta), 900mW (Tc)
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andra namn:SI1403CDL-T1-GE3TR
SI1403CDLT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:281pF @ 10V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 4.5V
FET-typ:P-Channel
FET-funktionen:-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):2.5V, 4.5V
Avlopp till källspänning (Vdss):20V
detaljerad beskrivning:P-Channel 20V 2.1A (Tc) 600mW (Ta), 900mW (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:2.1A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer