SI1403CDL-T1-GE3
Тип продуктов:
SI1403CDL-T1-GE3
производитель:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание:
MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество:
62610 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
SI1403CDL-T1-GE3.pdf

Введение

SI1403CDL-T1-GE3 лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором SI1403CDL-T1-GE3, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SI1403CDL-T1-GE3 по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Vgs (й) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (макс.):±12V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:SC-70-6 (SOT-363)
Серии:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:140 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс):600mW (Ta), 900mW (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Другие названия:SI1403CDL-T1-GE3TR
SI1403CDLT1GE3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:281pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:8nC @ 4.5V
Тип FET:P-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS):20V
Подробное описание:P-Channel 20V 2.1A (Tc) 600mW (Ta), 900mW (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:2.1A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости