SI1403CDL-T1-GE3
Número de pieza:
SI1403CDL-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
62610 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SI1403CDL-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SC-70-6 (SOT-363)
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:140 mOhm @ 1.6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):600mW (Ta), 900mW (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres:SI1403CDL-T1-GE3TR
SI1403CDLT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:281pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:P-Channel 20V 2.1A (Tc) 600mW (Ta), 900mW (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.1A (Tc)
Email:[email protected]

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