SI1403CDL-T1-GE3
Part Number:
SI1403CDL-T1-GE3
Producent:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Opis:
MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
62610 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
SI1403CDL-T1-GE3.pdf

Wprowadzenie

SI1403CDL-T1-GE3 najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem SI1403CDL-T1-GE3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu SI1403CDL-T1-GE3 pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (maks.):±12V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:SC-70-6 (SOT-363)
Seria:TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs:140 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Strata mocy (max):600mW (Ta), 900mW (Tc)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Inne nazwy:SI1403CDL-T1-GE3TR
SI1403CDLT1GE3
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:281pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:8nC @ 4.5V
Rodzaj FET:P-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Spust do źródła napięcia (Vdss):20V
szczegółowy opis:P-Channel 20V 2.1A (Tc) 600mW (Ta), 900mW (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:2.1A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze