| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Tension - Inverse de crête (max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 10A (DC) |
| Tension - Ventilation: | PG-TO247-3 |
| Séries: | thinQ!™ |
| État RoHS: | Tube |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Polarisation: | TO-247-3 |
| Autres noms: | IDW10G65C5 IDW10G65C5-ND SP000937038 |
| Température d'utilisation - Jonction: | 0ns |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | IDW10G65C5FKSA1 |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| Configuration diode: | 400µA @ 650V |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.7V @ 10A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 650V |
| Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
